泰藝的32.768kHz晶體支持從緊湊型可穿戴設(shè)備到堅(jiān)固工業(yè)系統(tǒng)的各種應(yīng)用
來源:http://www.guangshenggg.com 作者:金洛鑫電子 2025年08月22
泰藝的32.768kHz晶體支持從緊湊型可穿戴設(shè)備到堅(jiān)固工業(yè)系統(tǒng)的各種應(yīng)用

泰藝的32.768kHz晶體支持從緊湊型可穿戴設(shè)備到堅(jiān)固工業(yè)系統(tǒng)的各種應(yīng)用
泰藝的32.768kHz晶體憑借其出色的性能特性,在從緊湊型可穿戴設(shè)備到堅(jiān)固工業(yè)系統(tǒng)的眾多應(yīng)用場景中都能發(fā)揮重要作用,展現(xiàn)出強(qiáng)大的場景適配能力,無論是對體積,功耗有著嚴(yán)苛要求的消費(fèi)電子領(lǐng)域,還是面臨極端環(huán)境考驗(yàn)的工業(yè)控制領(lǐng)域,該晶體都能以穩(wěn)定可靠的表現(xiàn)滿足多樣化需求,?在緊湊型可穿戴設(shè)備中,泰藝晶振32.768kHz晶體的優(yōu)勢十分顯著,這類設(shè)備,像智能手表,健康手環(huán),智能眼鏡等,對元器件的體積有著嚴(yán)格限制,需要盡可能小巧以滿足設(shè)備整體的輕薄設(shè)計(jì),泰藝32.768kHz晶體采用先進(jìn)的微型封裝技術(shù),其尺寸可控制在1612mm晶振甚至更小的毫米級別,能夠輕松嵌入到智能手表的表盤內(nèi)部,手環(huán)的狹小腔體等空間中,不會占用過多設(shè)備內(nèi)部空間,為設(shè)備的外觀設(shè)計(jì)(如更輕薄的機(jī)身,更流暢的線條)和功能集成(如增加更多傳感器,更大容量電池)提供了充足的便利,同時,可穿戴設(shè)備通常依賴內(nèi)置鋰電池供電,續(xù)航能力是用戶關(guān)注的核心指標(biāo)之一,該晶體通過優(yōu)化內(nèi)部電路設(shè)計(jì),工作電流可低至1μA以下,在保證頻率精度(年誤差可控制在幾秒內(nèi))的同時,能最大限度地降低功耗,有效延長設(shè)備的續(xù)航時間,讓用戶無需頻繁充電,尤其適合需要長期佩戴的健康監(jiān)測類設(shè)備,此外,可穿戴設(shè)備長期與人體接觸,會經(jīng)歷日常的溫度變化(如從室內(nèi)常溫到戶外高溫或低溫環(huán)境)和輕微振動(如運(yùn)動時的肢體擺動,日常活動中的碰撞),泰藝32.768kHz晶體通過選用高穩(wěn)定性的石英材料和優(yōu)化內(nèi)部支撐結(jié)構(gòu),具備良好的溫度穩(wěn)定性(在-10℃至+60℃的日常溫度范圍內(nèi),頻率偏差可控制在±20ppm以內(nèi))和抗振動能力(可承受10G加速度的振動沖擊),確保設(shè)備在各種日常使用環(huán)境下都能保持準(zhǔn)確的計(jì)時功能(如精準(zhǔn)記錄運(yùn)動時長,睡眠周期),以及傳感器數(shù)據(jù)的同步可靠性(如心率,血氧數(shù)據(jù)的實(shí)時采集與傳輸),為用戶提供穩(wěn)定且精準(zhǔn)的使用體驗(yàn)
而在堅(jiān)固的工業(yè)系統(tǒng)里,泰藝32.768kHz晶體同樣表現(xiàn)出色,工業(yè)環(huán)境往往較為惡劣,存在著劇烈的溫度波動,從零下幾十?dāng)z氏度的寒冷戶外到零上百攝氏度的工廠車間高溫環(huán)境都可能出現(xiàn),這對晶體的頻率穩(wěn)定性是極大的考驗(yàn),泰藝32.768kHz振蕩器采用工業(yè)級的陶瓷封裝材料和高溫焊接工藝,經(jīng)過嚴(yán)格的高低溫循環(huán)測試(-40℃至+85℃循環(huán)測試超過1000次),能夠在-40℃至+85℃的寬溫范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的頻率輸出,頻率偏差控制在±30ppm以內(nèi),保證工業(yè)控制系統(tǒng)(如PLC控制器,分布式控制系統(tǒng))的時序同步精準(zhǔn),確保生產(chǎn)流程中各設(shè)備的協(xié)同工作(如流水線的機(jī)械臂動作,物料傳輸?shù)墓?jié)奏)有序進(jìn)行,工業(yè)場景中還存在著強(qiáng)電磁干擾,如電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)產(chǎn)生的電磁噪聲,高壓設(shè)備產(chǎn)生的電場干擾等,這會影響晶體的正常工作,該晶體通過采用金屬屏蔽罩封裝和內(nèi)部濾波電路優(yōu)化,能夠有效抵御外部電磁噪聲的干擾(電磁兼容測試達(dá)到EN61000-4-3標(biāo)準(zhǔn)的3級要求),避免頻率信號失真導(dǎo)致工業(yè)設(shè)備出現(xiàn)誤動作(如機(jī)械臂誤操作,閥門錯誤開關(guān)),保障生產(chǎn)安全,另外,工業(yè)設(shè)備運(yùn)行過程中會產(chǎn)生持續(xù)的振動(如機(jī)床運(yùn)轉(zhuǎn)時的振動)或瞬間沖擊(如設(shè)備搬運(yùn)時的碰撞),泰藝32.768kHz晶體的機(jī)械結(jié)構(gòu)經(jīng)過強(qiáng)化處理(內(nèi)部石英片采用多點(diǎn)支撐設(shè)計(jì)),能夠承受100G加速度的沖擊和10G加速度的持續(xù)振動;同時其封裝材料具備良好的密封性,具備抗潮濕(可在相對濕度95%的環(huán)境下長期工作),抗腐蝕(能抵御工業(yè)環(huán)境中的粉塵,油污侵蝕)的特性,能適應(yīng)工廠車間,戶外工業(yè)設(shè)施等多塵,高濕的環(huán)境,大大降低了因晶體失效而導(dǎo)致工業(yè)系統(tǒng)停機(jī)的風(fēng)險(平均無故障工作時間可達(dá)10萬小時以上),提升了工業(yè)系統(tǒng)的整體可靠性和使用壽命

泰藝的32.768kHz晶體支持從緊湊型可穿戴設(shè)備到堅(jiān)固工業(yè)系統(tǒng)的各種應(yīng)用
OYKTGLJANF-0.032768 | 臺灣Taitien晶振 | OY | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
OYETDLJANF-25.000000 | Taitien | OY | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm |
TXETDDSANF-19.200000 | Taitien | TX | TCXO | 19.2 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±2.5ppm |
TXETCLSANF-25.000000 | Taitien | TX | TCXO | 25 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±2ppm |
TXETADSANF-33.600000 | Taitien | TX | TCXO | 33.6 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
OXEIDLJANF-0.032768 | Taitien | OX | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±25ppm |
OXLTDLJANF-25.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 1.2V | ±25ppm |
TYKTCCSANF-38.400000 | Taitien | TY | TCXO | 38.4 MHz | Clipped Sine Wave | 1.8V | ±2ppm |
TXETACSANF-26.000000 | Taitien | TX | TCXO | 26 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
TYETBCSANF-20.000000 | Taitien | TY | TCXO | 20 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TZETADSANF-38.400000 | Taitien | TZ | TCXO | 38.4 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
TYETACSANF-19.200000 | Taitien | TY | TCXO | 19.2 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
OYEBCJJANF-50.000000 | Taitien | OY-A | XO (Standard) | 50 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±20ppm |
PYEUCJJANF-96.000000 | Taitien | FASTXO | XO (Standard) | 96 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±20ppm |
PYEUCJJANF-76.800000 | Taitien | FASTXO | XO (Standard) | 76.8 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±20ppm |
TSETALJANF-16.000000 | Taitien | TS | TCXO | 16 MHz | CMOS | 3.3V | ±500ppb |
TTEAALJANF-40.000000 | Taitien | TT | VCTCXO | 40 MHz | CMOS | 3.3V | ±500ppb |
TTETALJANF-10.000000 | Taitien | TT | TCXO | 10 MHz | CMOS | 3.3V | ±500ppb |
TTETALSANF-25.000000 | Taitien | TT | TCXO | 25 MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±500ppb |
TWEAKLSANF-25.000000 | Taitien | TW | VCTCXO | 25 MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±280ppb |
TWEAKCSANF-20.000000 | Taitien | TW | VCTCXO | 20 MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±280ppb |
TWETALSANF-20.000000 | Taitien | TW | TCXO | 20 MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±500ppb |
TTETKLJANF-25.000000 | Taitien | TT | TCXO | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±280ppb |
TTETTCJANF-24.576000 | Taitien | TT | TCXO | 24.576 MHz | CMOS | 3.3V | ±4.6ppm |
TSETTLJANF-10.000000 | Taitien | TS | TCXO | 10 MHz | CMOS | 3.3V | ±4.6ppm |
TSETTCJANF-19.440000 | Taitien | TS | TCXO | 19.44 MHz | CMOS | 3.3V | ±4.6ppm |
TTEAMCJANF-40.000000 | Taitien | TT | VCTCXO | 40 MHz | CMOS | 3.3V | ±100ppb |
NI-10M-2502 | Taitien | NI-10M-2500 | OCXO | 10 MHz | Sine Wave | 5V | ±10ppb |
OXETGCJANF-12.288000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 12.288 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
TZETADSANF-26.000000 | Taitien | TZ | TCXO | 26 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
TZETADSANF-19.200000 | Taitien | TZ | TCXO | 19.2 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
OYEIDLJANF-0.032768 | Taitien | OY | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm |
TZKTADSANF-38.400000 | Taitien | TZ | TCXO | 38.4 MHz | Clipped Sine Wave | 1.8V | ±500ppb |
OYEBCJJANF-48.000000 | Taitien | OY-A | XO (Standard) | 48 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±20ppm |
TTEAALJANF-10.000000 | Taitien | TT | VCTCXO | 10 MHz | CMOS | 3.3V | ±500ppb |
TZETADSAGF-26.000000 | Taitien | TZ | TCXO | 26 MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±500ppb |
OAJMGLLANF-125.000000 | Taitien | OA-M | XO (Standard) | 125 MHz | LVPECL | 2.5V | ±50ppm |
OAJRGLLTNF-156.250000 | Taitien | OA | XO (Standard) | 156.25 MHz | LVPECL | 2.5V | ±50ppm |
OAJMGLLANF-100.000000 | Taitien | OA-M | XO (Standard) | 100 MHz | LVPECL | 2.5V | ±50ppm |
OAEMDLLANF-100.000000 | Taitien | OA-M | XO (Standard) | 100 MHz | LVPECL | 3.3V | ±25ppm |
OAJRGLLTNF-100.000000 | Taitien | OA | XO (Standard) | 100 MHz | LVPECL | 2.5V | ±50ppm |
OAJMGLLANF-156.250000 | Taitien | OA-M | XO (Standard) | 156.25 MHz | LVPECL | 2.5V | ±50ppm |
OAEMDLLANF-212.500000 | Taitien | OA-M | XO (Standard) | 212.5 MHz | LVPECL | 3.3V | ±25ppm |
OAJMGLLANF-212.500000 | Taitien | OA-M | XO (Standard) | 212.5 MHz | LVPECL | 2.5V | ±50ppm |
TLETKLJATF-40.000000 | Taitien | TL | TCXO | 40 MHz | CMOS | 3.3V | ±280ppb |
TLEAMLJATF-20.000000 | Taitien | TL | VCTCXO | 20 MHz | CMOS | 3.3V | ±100ppb |
TLEAMLJATF-25.000000 | Taitien | TL | VCTCXO | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±100ppb |
TLEAMLJATF-10.000000 | Taitien | TL | VCTCXO | 10 MHz | CMOS | 3.3V | ±100ppb |
OXETDLJANF-10.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 10 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm |
OXETDLJANF-50.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 50 MHz | CMOS | 2.8V | ±25ppm |
OYETDLJANF-50.000000 | Taitien | OY | XO (Standard) | 50 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm |
VTEUMCJANF-19.440000 | Taitien | VT | VCXO | 19.44 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
VTEUPCJANF-19.440000 | Taitien | VT | VCXO | 19.44 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
VTEUPCJANF-35.328000 | Taitien | VT | VCXO | 35.328 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
VTEUMCJANF-35.328000 | Taitien | VT | VCXO | 35.328 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
VTEUMCJANF-25.000000 | Taitien | VT | VCXO | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
VTEUPCJANF-33.333000 | Taitien | VT | VCXO | 33.333 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
VTEUPLJANF-15.360000 | Taitien | VT | VCXO | 15.36 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
VTEUMCJANF-27.000000 | Taitien | VT | VCXO | 27 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
VTEUPCJANF-2.048000 | Taitien | VT | VCXO | 2.048 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
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